近年来，随着苹果、谷歌、三星、京东方、TCL华星、友达、LGDisplay等科技巨头涌入，Micro-LED热度持续升温，关键技术不断突破，加速Micro-LED应用进程，三星发布89英寸Micro-LED，友达今年底将量产手表用Micro-LED，苹果计划将Micro-LED应用于Apple Watch……Micro-LED产业爆发期马上就要来临。Omdia预测，到2026年全球Micro-LED面板产值将达7.96亿美元。

　　为全面理清Micro-LED产业的发展现状，集微咨询隆重发布《全球Micro-LED产业高质量发展研究报告》。该报告总结了近年来Micro-LED显示产业高质量发展概况、技术进展，展望未来产业高质量发展趋势；重点分析了Micro-LED行业重点企业的近期产品及投资动态，并从AR/VR应用市场对Micro-LED显示产品的采用进行了归纳总结，多维度呈现Micro-LED产业最新进展。

　　自1897年德国K.F.布劳恩发明阴极射线管（CRT）以来，人类开始步入电子显示时代，此后的一百多年来，多种显示技术不断涌现，尤其是平板显示技术已深刻影响电子信息产业发展。

　　到今天为止，平板显示技术在人们的工作、生活和学习过程中发挥着逐渐重要的作用，是关系到国计民生的重要产业。而中国显示产业在近十余年的加快速度进行发展中，也在全球显示产业中扮演着逐渐重要的角色。到2022年，中国大陆地区TFT-LCD面板产能约占全球的62%，同时AMOLED产业、Micro-LED产业等均处于加快速度进行发展阶段。

　　近百年来，显示技术的发展不断加速，电子显示产品的发展，也经历了如下几个阶段：

　　第一个阶段：20世纪50年代开始，随着CRT技术的产业化，黑白CRT和彩色CRT相继成为人类生活中最重要的显示设备，CRT技术风靡半个多世纪。

　　第二个阶段：20世纪90年代，CRT技术、等离子显示（PDP）技术、液晶显示（LCD）技术并行。2000年后，随着液晶显示（LCD）技术的完善及具备有关技术优势，液晶显示技术逐步在竞争中胜出，成为市场上主流的显示技术。

　　第三个阶段：进入21世纪后，随着电子技术、材料技术等学科技术的发展和生产的基本工艺的日渐成熟，LCD显示不断往大尺寸化发展，有机电致发光显示（OLED）技术出现并实现产业化生产。同时，Micro-LED、Micro-OLED（硅基OLED）等技术加快速度进行发展，显示产业呈现百花齐放态势。

　　因与生俱来的技术优势，Micro-LED技术被业内誉为下一代显示技术，在近十年来得到全球众多企业的追捧，代表着显示技术未来的一个重要发展趋势。Micro-LED一般指单个尺寸小于50μm的LED阵列，是当今国际最前沿的显示技术之一。相比于LCD和OLED，Micro-LED具有很多优势，如效率高、耐候性好、寿命长、高分辨率、结构相对比较简单等。

　　2000年美国堪萨斯州立大学江红星等人，制备了基于Ⅲ族氮化物的Micro-LED，并在2001年报道了采用无源驱动的方式，成功制备了10×10的蓝光Micro-LED阵列，为Micro-LED显示的发展奠定了理论基础。

　　从Micro-LED技术创新的维度看，全球众多企业与研究机构多年来投入巨资去参加了，根据智慧芽多个方面数据显示，截至2022年6月，Micro-LED全球专利储备已超过4万件，技术储备丰富；且从2017年开始，Micro-LED研发技术活跃度明显上升，目前正处于爆发式增长期。

　　自Micro-LED技术问世以来，半导体企业、传统LED企业、显示面板企业、电子消费品主流厂商几乎都去参加了，是全球公司参与度最高的显示技术之一。

　　从创新主体来看，中国头部企业与国际龙头齐头并进，在专利申请量Top15企业中，中国企业已占一半以上；从技术领域上看，Micro-LED产业化的关键技术难题主要集中于外延&芯片结构、巨量转移、全彩显示和显示驱动上，上述技术正在加速攻坚进程。

　　从整个LED技术发展史来看，是技术慢慢的提升、产品不断小型化和微型化的过程。LED自问世起，从单色LED显示屏到全彩色化显示，从普通LED再到小间距LED、MiniLED和Micro-LED，技术不断成熟与进步。

　　2013年，小间距LED显示屏彻底释放，P2.0、P1.8、P1.5、P1.4等新品层出不穷，P1.2、P1.0等更小间距产品也不断进入生产。

　　2015年以后，中国大陆企业资本动作频频，封装企业加快扩产和并购，国内不少一线封装企业通过重组等方式，实现规模化效应，逐步缩小与国际大厂的技术和品质差距。

　　近十余年来，国内将LED大屏大范围的应用于奥运会、国庆大阅兵、军运会、春晚舞台等重大活动和赛事，并通过其绚丽的表现效果赢得世人一致认可与好评。LED产业在国内得到了快速发展。

　　随着近年来LED技术的进步、AR/VR等需求的增多，更高分辨率、更细腻画质的显示产品成为电子消费品市场追逐的热点，LED从小间距，到MiniLED，再到Micro-LED不断演进，从原来的只能应用于较远观看距离的户外LED大屏，到可以近眼观看的AR/VR、智能手表等应用的Micro-LED显示。

　　总体来看，LED微型化发展是其必然趋势，符合人类对电子科技类产品逐步的提升的视觉效果追求的大方向，目前正迈向Micro-LED大发展的产业化进程，产业爆发期即将到来。

　　Micro-LED显示产业链，可大致分为上游的芯片制造，中游的面板制造，下游的整机应用，其中最核心的为芯片制造和巨量转移工艺。

　　Micro-LED凭借其优异技术性能，可大范围的应用于手机、平板、笔记本电脑、电视、AR/VR设备、户外显示器、抬头显示器（HUD）等领域，应用场景范围涵盖了目前所有的电子科技类产品领域。

　　从Micro-LED参与企业来看，全世界内知名的电子消费品厂商苹果、三星、LG、索尼等，以及几乎目前所有的主流显示面板生产企业、主要LED企业均去参加了。Micro-LED技术吸引了全球电子信息产品相关企业的关注与投入，也成为全世界资本市场所追捧的宠儿。

　　现阶段Micro-LED还有许多技术瓶颈有待突破，如芯片制造、巨量转移、检测修复等，这也是目前Micro-LED出货量低、售价高昂的主要原因。

　　Micro-LED量产化应用的实现，巨量转移是其得以有效发展的第一步，也是目前产业化进程中的一大难点。Micro-LED巨量转移技术的开发存在许多问题与挑战：

　　（2）Micro-LED的厚度仅为几微米，将其精确地放置在目标衬底上的困难度非常大。

　　（3）Micro-LED的芯片尺寸及间距都很小，要将芯片连上电路，也充满挑战。

　　（4）Micro-LED芯片有必要进行多次转移（至少需要从蓝宝石衬底→临时衬底→硅衬底），且每次转移芯片量非常大，对转移工艺的稳定性和精确度要求非常高。

　　（5）对于RGB全彩显示而言，由于每一种工艺只能生产一种颜色的芯片，故需要将红绿蓝芯片分别进行转移，需要非常精准的工艺进行芯片的定位，极大增加了转移工艺的难度。

　　不同的Micro-LED巨量转移技术具有不一样的技术特性，未来针对不同的显示产品，可能都会有相对适合的解决方案。现有的转移技术及其代表厂商，大致上可以分为芯片转移和外延级键合两大类。其中，芯片转移技术分为物理方式和化学方式：物理方式主要为电磁力转移、静电吸附和流体自组装技术；化学方式主要为范德华力/粘力、激光转移以及滚轮转印等。

　　在Micro-LED的生产的全部过程中，由于Micro-LED芯片尺寸在50微米以下，一定要通过激光转移等巨量转移技术将数量众多的芯片大规模移植到驱动面板上形成高密度的阵列，在这一过程中芯片易发生不良。为提升并确保Micro-LED显示器的良率，检测与修复是制程中不可或缺的步骤。

　　Micro-LED各工艺制程环节中均穿插了AOI检测、激光去除和激光修补的动作，Micro-LED激光修复工艺包含了激光去除和激光转移修复。激光修复设备能对有缺陷的芯片进行筛选修复，当Micro-LED芯片产生损坏，如何在数百万甚至数千万颗微米级芯片中对不良芯片进行高效修复是目前面临的一大挑战。

　　在市场方面，得益于各企业的努力建设，Micro-LED产品由小量生产到逐步上量，产值在不断增长。

　　另据TrendForce集邦咨询预测数据指出，2023年Micro-LED用于以智能手表为主的穿戴设备芯片产值虽然仅有300万美元，但随着Apple搭载Micro-LED显示器新型手表的备货启动与产品问世，2024年与2025年该产值将迅速地膨胀至1.72亿与4.63亿美元。

　　短期来看，只有如AR这种高的附加价值的产品是Micro-LED首先应去抢占的市场领域。而在AR这一领域，同样存在更早产业化的硅基OLED（Micro-OLED）技术。如6月份苹果公司刚刚发布的MR产品，正是使用了硅基OLED这一技术。与Micro-LED相比，硅基OLED技术同样具有优秀的产品性能，并更早应用于AR、军工等领域。

　　但与Micro-LED相比，硅基OLED在产品寿命和发光亮度方面均存在不足。从长远来看，随着Micro-LED技术的不断成熟，将逐步超过硅基OLED，成为AR类市场的主流显示技术。

　　美国是目前全球Micro-LED显示技术最发达的国家。2006年美国伊利诺伊大学就已经将微传输打印（μTP）技术的早期研究成果转移给当时的初创企业Semprius，后来该技术被XTRIONN.V的全资子公司X-Celeprint获得，目前已经实现了晶圆级器件在1微米精度下的批量打印转移。

　　中国大陆地区紧跟国际研发步伐，有突出贡献的公司和高校加紧开展Micro-LED前瞻性技术的研发。其中，TCL华星光电、新广联和三安光电已布局Micro-LED外延芯片，并实现了15微米微缩化工艺，三安光电将Micro-LED作为未来重点发展方向。

　　日本和韩国大规模的公司也积极抢进Micro-LED市场，进行了大量的科研工作与产品的生产。

　　近十年来，经过全世界内众多企业与研究机构的努力，Micro-LED相关设备、材料、生产的基本工艺的技术进展迅速，仅仅在2023年上半年就取得了大量的技术成果。

　　2023年1月10日，芯元基在Micro-LED微显示屏方面又取得了新的突破，其成功攻克了像素pitch7.5μm芯片阵列键合工艺，实现了0.39英寸单色Micro-LED微显示屏视频显示。

　　JBD在SID重磅发布“蜂鸟”光引擎产品，并宣布该产品已于今年5月量产。据JBD官方信息数据显示，“蜂鸟”所搭载的Micro-LEDAMµLED™0.13系列微显示屏，像素密度6350PPI，分辨率为VGA，在点亮状态能实现红光75万尼特、绿光500万尼特、蓝光100万尼特的超高亮度水平。

　　5月，Micro-LED微显示器开发商MojoVision宣布成功点亮了首款300mm蓝色硅基氮化镓微型LED阵列晶圆。几年前，MojoVision曾宣布开发出14,000PPI单色（绿色）Micro-LED微显示器，这是世界上密度最高的微显示器。该公司现在表示，其技术最高可达28,000PPI。其全彩技术可实现高亮度（超过100万尼特），并基于亚微米蓝色Micro-LED和用于颜色转换的喷墨打印QD（quantumdot，量子点）。其显示器采用微透镜阵列，工艺基于300mm硅片。

　　5月10日，新加坡－麻省理工学院研究与技术联盟（SMART）的一个研究团队声称已经制造出“世界上最小的LED”，宽度不到1微米，并表示该技术未来可用于将智能手机的相机，具体的形态为高分辨率显微镜。

　　5月18日，NSNanotech报告其NanoLED技术性能获得新世界纪录，并展示了首个亚微米级（小于常见的Micro-LED）红色LED，其外量子效率（EQE）大于8%，足以用于商业。

　　5月，维信诺参股公司成都辰显光电宣布，成功开发出一款4.78英寸的TFT基Micro-LED无边框拼接显示模组，实现100%点亮率的技术突破。这是国内首款点亮率为100%的TFT基Micro-LED无边框拼接显示模组。该显示模组具有1000nits亮度、97%DCI-P3色域、100,000:1对比度并支持HDR的表现效果。

　　6月，成都辰显光电有限公司在成都高新区成功点亮了中国大陆首款TFT基无边框14.5英寸Micro-LED拼接箱体，展示了其在Micro-LED显示技术领域的强大实力和创造新兴事物的能力。该箱体由8块屏体拼接而成，拼缝小于100微米、像素Pitch0.5毫米，在行业内属于领头羊；具备四边无边框特性，可自由拼接达成客户定制化需求，适用于高端大尺寸拼接显示产品。该箱体的开发采用了国内首款Micro-LED专用驱动IC，实现了10bit色深，240Hz高刷，配合特有的De-Mura方案，大幅改善了显示画质；采用了自主开发的混合驱动电路架构，成功实现了500nit亮度（具备HDR功能，最高1000nit）。此外，该箱体还采用了自主开发的高速巨量转移技术，将25微米LED芯片转移良率提升至99.995%，同时采用了LED来料后处理技术，保证了显示色彩的一致性和鲜艳度。

　　4月，重庆康佳光电研究院自主研发的HMT混合式巨量转移技术，率先突破每小时千万颗的转移效率，转移良率达到99.9%—99.99%，修补后良率达到99.999%—99.9999%，该技术推进了新型显示关键设备和材料的国产自主化，降低了生产成本。

　　5月3日，韩国LG电子（LGElectronics）WonjaeChang，JungsubKim，JeongSooLee等，在Nature上发文，提出了一种基于流体自组装（FSA）技术的新转移方法，称为磁力辅助介电泳自组装技术（MDSAT），它结合了磁力和介电泳（DEP）力，在15分钟内，实现了同时的红色，绿色和蓝色（RGB）LED转移，转移良率为99.99%。

　　3月，韩国KIMM研究所的研究人员使用蓝色LED和钙钛矿量子点颜色转换层制造了全彩色柔性Micro-LED。展示的设备是采用1毫米像素间距LED(25.4PPI)，可以弯曲半径为5毫米而不会损坏。

　　5月，厦门大学电子科学与技术学院半导体照明实验室在Micro-LED全彩显示技术方面取得突破性进展。半导体照明实验室利用红色发光钙钛矿量子点（γ-CsPbI3）包覆绿色钙钛矿量子点（CsPbBr3），形成核壳结构，在两种量子点之间满足能量转移的条件，γ-CsPbI3将CsPbBr3的发光完全吸收。由于CsPbBr3向γ-CsPbI3传递能量，因此γ-CsPbI3会表现出CsPbBr3的激发特性，能调节该结构的最佳激发波长。

　　近十年来，经过全世界内众多企业与研究机构的努力，Micro-LED相关设备、材料、生产的基本工艺的技术均进展迅速。同时在产业化建设方面，诸多企业也在加大投入力度。据集微咨询（JWInsights）不完全统计，从2019年至今，国内在Mini/Micro-LED产业链领域的投资已达近2000亿元，并已取得一定产业化成绩。

　　思坦科技：思坦科技自2018年开始Micro-LED中试，2022年落地厦门建设一期量产线千万片Micro-LED微显示芯片产能，单片全彩技术亦完成中试并同步推进到量产阶段。

　　辰显光电：2023年6月27日，成都辰显光电有限公司总投资30亿元的Micro-LED显示屏生产基地项目签约成都，将建设全球首条TFT基Micro-LED显示屏生产线年底建成投产。此前辰显光电已在成都建设了Micro-LED试验线月，天马在厦门投资建设一条从巨量转移到显示模组的全制程Micro-LED试验线亿元人民币，建设内容有Micro-LED试验线，重点研发基于TFT基板的巨量转移相关技术，包括巨量检测、巨量键合、巨量修复、封装模组制程等。

　　重庆康佳已建成了国内第一条全制程的巨量转移中试线；国内最先进、最全面、检验测试能力最强的MLED检验测试中心；建成了MLED芯片量产线和MLED直显量产线㎡/月生产线。

　　湖北三安Mini/Micro-LED显示产业化项目建设也正在稳步推进中，该项目主要生产的产品有Mini/Micro-LED外延片和芯片，目前产品已供货三星、华星光电、天马、康佳等客户。

　　7月4日发布了重要的公告，公司于近日收到证监会出具的《关于同意华灿光电股份有限公司向特定对象发行股票注册的批复》。定增完成后，京东方将持有华灿光电23.01%的股份，控制26.53%的表决权。此次发行拟募集资金总额为20.84亿元，募集资金扣除发行费用后的净额将大多数都用在Micro-LED晶圆制造和封装测试基地项目。Micro-LED晶圆制造和封装测试基地项目建设期4年，第5年可达满负荷生产，将形成年产Micro-LED晶圆5.88万片组、Micro-LED像素器件45,000.00kk颗的生产能力。目前，《全球Micro-LED产业高质量发展研究报告》已在爱集微官网与APP正式上线，欢迎登录爱集微官网、爱集微APP，首页点击“集微报告”栏目，即可进行订购。

　　二季度中国智能手机出货量排名：TOP5大洗牌 vivo/小米/苹果位列前三